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DMT6009LSS-13  与  AO4264_101  区别

型号 DMT6009LSS-13 AO4264_101
唯样编号 A-DMT6009LSS-13 A-AO4264_101
制造商 Diodes Incorporated AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 11 mΩ @ 12A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) 3.1W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 9.5mΩ@13.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1925 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 33.5 nC @ 10 V -
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10.8A(Ta) 12A(Ta)
驱动电压 4.5V,10V -
栅极电荷Qg - 20nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT6009LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
IRF7855TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
AO4264_101 AOS  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比

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