制造商编号 | IPP60R099CPXKSA1 |
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商品别名 | IPP60R099CP |
制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | B-IPP60R099CPXKSA1-1 |
供货 | 富昌电子 |
无铅情况/RoHs | 否 |
描述 |
MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 31A(Tc) | |
FET类型 | N 通道 | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 99 毫欧 @ 18A,10V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 1.2mA | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 2800pF @ 100V | |
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 80nC @ 10V | |
功率耗散(最大值) | 255W(Tc) | |
封装/外壳 | TO-220-3 | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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整包(请按50的倍数下单) |
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50+ | ¥50.148 |
¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:50
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 请咨询客服 |
起订量:50 | 倍数:50 |
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
非常适合用于USB-PD和快速充电器设计
根据超结原理 (SJ) 设计,极低的开关和传导损耗
采用TrenchStop™和Fieldstop技术,可提供卓越的开关性能
Infineon Technologies TRENCHSTOP™ RC-H5 1200V/1350V IGBT开发和优化用于满足感应烹饪应用的严格要求。
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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LMP22D5N3T5G | 200,000 |
PJA3441-AU_R1_000A1 | 33,000 |
IPB200N25N3 G | 33,000 |
PMPB215ENEAX | 18,000 |
PJA3440-AU_R1_000A1 | 15,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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IPP60R099CPXKSA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPP60R099CP_TO-220-3 |
¥50.148
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0 | 当前型号 | |||||
STP33N60M6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 18,000 | 对比 | |||||
STP38N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 550 | 对比 | |||||
STP38N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||
STP33N60M6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||
TK25E60X,S1X | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220 |
暂无价格 | 0 | 对比 |