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IPP60R099CPXKSA1  与  STP38N65M5  区别

型号 IPP60R099CPXKSA1 STP38N65M5
唯样编号 B-IPP60R099CPXKSA1-1 A3-STP38N65M5
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3 MOSFET N-CH 650V 30A TO220
数据表
RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 255W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 100V -
FET类型 N 通道 -
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 1.2mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 80nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 99 毫欧 @ 18A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 31A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 650V -
库存与单价
库存 0 550
工厂交货期 42 - 126天 5 - 7天
单价(含税)
50+ :  ¥50.148
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