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AOD4504  与  IRFR9N20DPBF  区别

型号 AOD4504 IRFR9N20DPBF
唯样编号 A-AOD4504 A-IRFR9N20DPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR9N20DPBF, 9.4 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 8 -
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 400mΩ@3A,10V 380mΩ
引脚数目 - 3
Qgd(nC) 30 -
最小栅阈值电压 - 3V
栅极电压Vgs ±20V -
Td(on)(ns) 6 -
封装/外壳 TO-252 -
连续漏极电流Id 6A 9.4A
工作温度 -55℃~175℃ -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 328 -
长度 - 6.73mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 560pF @ 25V
高度 - 2.39mm
Trr(ns) 35 -
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 13 ns
Td(off)(ns) 18 -
漏源极电压Vds 200V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 42.5W 86W
Qrr(nC) 150 -
晶体管配置 -
VGS(th) 3.7 -
FET类型 N-Channel -
系列 - HEXFET
典型接通延迟时间 - 7.5 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 27nC @ 10V
Coss(pF) 20.5 -
Qg*(nC) 44 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
510+ :  ¥2.3488
1,000+ :  ¥1.8369
2,500+ :  ¥1.4328
暂无价格
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