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IRF840PBF  与  AOT9N40  区别

型号 IRF840PBF AOT9N40
唯样编号 A-IRF840PBF A-AOT9N40
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 5.7
Rds On(Max)@Id,Vgs 850mΩ 800mΩ@10V
上升时间 23ns -
ESD Diode - No
Qg-栅极电荷 63nC -
Qgd(nC) - 4.8
栅极电压Vgs 2V 30V
正向跨导 - 最小值 4.9S -
Td(on)(ns) - 17
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 8A 8A
配置 Single -
Ciss(pF) - 630
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 20ns -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 195
Td(off)(ns) - 25
漏源极电压Vds 500V 400V
Pd-功率耗散(Max) 125W 132W
Qrr(nC) - 1900
VGS(th) - 4.5
典型关闭延迟时间 49ns -
FET类型 - N-Channel
系列 IRF -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V -
典型接通延迟时间 14ns -
Coss(pF) - 73
Qg*(nC) - 13.1*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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