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IRF840PBF  与  IPA50R800CE  区别

型号 IRF840PBF IPA50R800CE
唯样编号 A-IRF840PBF A-IPA50R800CE
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.85mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 850mΩ 720mΩ
上升时间 23ns 5.5ns
Qg-栅极电荷 63nC 12.4nC
栅极电压Vgs 2V 20V
正向跨导 - 最小值 4.9S -
封装/外壳 TO-220-3 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -40°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8A 7.6A
配置 Single Single
长度 - 10.65mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 13V
下降时间 20ns 15.9ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 130µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 280pF @ 100V
高度 - 16.15mm
漏源极电压Vds 500V 500V
Pd-功率耗散(Max) 125W 26.4W
典型关闭延迟时间 49ns 26ns
FET类型 - N-Channel
系列 IRF CoolMOSCE
通道数量 1Channel 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V -
典型接通延迟时间 14ns 6.2ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12.4nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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