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IRFB4410PBF  与  DMTH10H010SCT  区别

型号 IRFB4410PBF DMTH10H010SCT
唯样编号 A-IRFB4410PBF A-DMTH10H010SCT
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 200 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220 MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 10mΩ@58A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 2.5W(Ta),187W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 9.5mΩ@13A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4468 pF @ 50 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 56.4 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id 88A 100A(Ta)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
驱动电压 - 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5150pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 180nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5150pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 180nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB4410PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
STP80NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

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DMTH10H010SCT Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

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PSMN9R5-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN9R5-100PS_SOT78

¥14.339 

阶梯数 价格
20: ¥14.339
50: ¥11.7533
0 对比
IPP12CN10LGXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP12CN10L G_TO-220-3

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STP80NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比

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