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IRFB4410PBF  与  IPP12CN10LGXKSA1  区别

型号 IRFB4410PBF IPP12CN10LGXKSA1
唯样编号 A-IRFB4410PBF A-IPP12CN10LGXKSA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 200 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220 MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 125W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 10mΩ@58A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 5600pF @ 50V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 88A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 58nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 12 毫欧 @ 69A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5150pF @ 50V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 83uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5150pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 180nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 69A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 180nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB4410PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

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阶梯数 价格
20: ¥14.339
50: ¥11.7533
0 对比
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IPP12CN10L G_TO-220-3

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TO-220-3

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