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IRFP3415PBF  与  IRF3415PBF  区别

型号 IRFP3415PBF IRF3415PBF
唯样编号 A-IRFP3415PBF A-IRF3415PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 150 V 200 W 200 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 42mΩ@22A,10V 42mΩ@22A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 200W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-247AC TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 43A 43A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V 2400pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 200nC @ 10V 200nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V 2400pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 200nC @ 10V 200nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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