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IRFR024NTRPBF  与  ZXMN6A08KTC  区别

型号 IRFR024NTRPBF ZXMN6A08KTC
唯样编号 A-IRFR024NTRPBF A-ZXMN6A08KTC
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 75mΩ@10A,10V -
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 45W(Tc) 2.12W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 80mΩ@4.8A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 459 pF @ 40 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 5.8 nC @ 10 V
封装/外壳 D-Pak TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 17A 5.36A(Ta)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 370pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 2,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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