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IRFR024NTRPBF  与  STD12NF06LT4  区别

型号 IRFR024NTRPBF STD12NF06LT4
唯样编号 A-IRFR024NTRPBF A3-STD12NF06LT4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 75mΩ@10A,10V -
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 45W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 D-Pak TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 17A -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 370pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 2,000 5,000
工厂交货期 3 - 5天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
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