首页 > 商品目录 > > > > RH6G040BGTB1代替型号比较

RH6G040BGTB1  与  BSZ063N04LS6  区别

型号 RH6G040BGTB1 BSZ063N04LS6
唯样编号 A-RH6G040BGTB1 A-BSZ063N04LS6
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 40V 95A, HSMT8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSMT8 -
连续漏极电流Id 95A -
工作温度 -55℃~150℃ -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.6mΩ@40A,10V -
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 59W -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
1,000+ :  ¥4.5827
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RH6G040BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

¥4.5827 

阶梯数 价格
1,000: ¥4.5827
0 当前型号
RH6G040BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

暂无价格 100 对比
BSZ097N04LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ097N04LSGATMA1_3.3mm

暂无价格 0 对比
BSZ097N04LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ097N04LSGATMA1_3.3mm

暂无价格 0 对比
BSZ034N04LS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ034N04LSATMA1_3.3mm

暂无价格 0 对比
BSZ063N04LS6 Infineon 功率MOSFET

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售