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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 95A | |
| 漏源极电压Vds | 40V | |
| 封装/外壳 | HSMT8 | |
| Pd-功率耗散(Max) | 59W | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.6mΩ@40A,10V | |
| 工作温度 | -55℃~150℃ |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
24个通道的恒流驱动芯片，每个通道都能提供最大1A的输出电流
具有60V漏源电压（VDSS）和±15.5A连续漏极电流，适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
一款具有快速反向恢复时间 (trr) 的功率 MOSFET
高可靠性车规小信号MOSFET，适用于开关和低侧负载开关、继电器驱动器
低导通电阻，高功率，小尺寸封装
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LMP22D5N3T5G | 200,000 |
| PJA3441-AU_R1_000A1 | 33,000 |
| IPB200N25N3 G | 33,000 |
| PMPB215ENEAX | 18,000 |
| PJA3440-AU_R1_000A1 | 15,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RH6G040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 |
暂无价格 | 100 | 当前型号 |
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RH6G040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 |
暂无价格 | 100 | 当前型号 |
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BSZ097N04LS G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSZ097N04LSGATMA1_3.3mm |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSZ097N04LS G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSZ097N04LSGATMA1_3.3mm |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSZ034N04LS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSZ034N04LSATMA1_3.3mm |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSZ063N04LS6 | Infineon | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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