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RH6G040BGTB1  与  BSZ034N04LS  区别

型号 RH6G040BGTB1 BSZ034N04LS
唯样编号 A3-RH6G040BGTB1 A-BSZ034N04LS
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 40V 95A, HSMT8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.6mΩ@40A,10V 2.7mΩ
上升时间 - 4ns
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 59W 52W
Qg-栅极电荷 - 35nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 46S
典型关闭延迟时间 - 19ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT8 -
连续漏极电流Id 95A 40A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS5
长度 - 3.3mm
下降时间 - 3ns
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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