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RH6G040BGTB1  与  BSZ063N04LS6  区别

型号 RH6G040BGTB1 BSZ063N04LS6
唯样编号 A3-RH6G040BGTB1 A-BSZ063N04LS6
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 40V 95A, HSMT8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSMT8 -
连续漏极电流Id 95A -
工作温度 -55℃~150℃ -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.6mΩ@40A,10V -
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 59W -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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