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RRH140P03GZETB  与  IRF9317PBF  区别

型号 RRH140P03GZETB IRF9317PBF
唯样编号 A-RRH140P03GZETB A-IRF9317PBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 5mΩ -
上升时间 80ns -
Qg-栅极电荷 150 nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2820pF @ 15V
栅极电压Vgs 2.5V -
正向跨导 - 最小值 20S -
封装/外壳 SOP-8 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
连续漏极电流Id 14A -
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 92nC @ 10V
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 6.6 毫欧 @ 16A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
下降时间 200ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2W -
典型关闭延迟时间 360ns -
FET类型 - P 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 50uA
通道数量 1 Channel -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 16A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
典型接通延迟时间 32ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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