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RRH140P03GZETB  与  IRF9321TRPBF  区别

型号 RRH140P03GZETB IRF9321TRPBF
唯样编号 A-RRH140P03GZETB A-IRF9321TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 P沟道,30V,15A,7.2mΩ@10V
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5mΩ 7.2mΩ@15A,10V
上升时间 80ns -
Qg-栅极电荷 150 nC -
栅极电压Vgs 2.5V ±20V
正向跨导 - 最小值 20S -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
封装/外壳 SOP-8 8-SO
连续漏极电流Id 14A 15A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 200ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2590pF @ 25V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2.5W(Ta)
典型关闭延迟时间 360ns -
FET类型 - P-Channel
通道数量 1 Channel -
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2590pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 98nC @ 10V
典型接通延迟时间 32ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 98nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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