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RS6P060BHTB1  与  IRF7853  区别

型号 RS6P060BHTB1 IRF7853
唯样编号 A-RS6P060BHTB1 A-IRF7853
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Nch 100V 60A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.6mΩ@60A,10V 18mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 2.5W
漏源极电压Vds 100V 100V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 73W -
栅极电压Vgs ±20V 20V
RthJA max - 50.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 10.0nC
封装/外壳 HSOP8 (Single) SO-8
Mounting - SMD
工作温度 -55°C~150℃ -
连续漏极电流Id 60A 6.6A
QG - 28.0nC
Tj max - 150.0°C
Budgetary Price €€/1k - 0.53
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥13.2013
100+ :  ¥6.6007
暂无价格
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