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SIHG61N65EF-GE3  与  IPW60R045CP  区别

型号 SIHG61N65EF-GE3 IPW60R045CP
唯样编号 A-SIHG61N65EF-GE3 A-IPW60R045CP
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 47mΩ@30.5A,10V 40mΩ
上升时间 - 20ns
漏源极电压Vds 650V 600V
Pd-功率耗散(Max) 520W(Tc) 431W
Qg-栅极电荷 - 190nC
栅极电压Vgs ±30V 20V
典型关闭延迟时间 - 100ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 -
连续漏极电流Id 64A(Tc) 60A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 E CoolMOSCE
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
长度 - 16.13mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 - 10ns
典型接通延迟时间 - 30ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 3.5V @ 3mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7407pF @ 100V 6800pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 371nC @ 10V 190nC @ 10V
高度 - 21.1mm
库存与单价
库存 20 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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