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SIHG61N65EF-GE3  与  TK040N65Z,S1F  区别

型号 SIHG61N65EF-GE3 TK040N65Z,S1F
唯样编号 A-SIHG61N65EF-GE3 A-TK040N65Z,S1F
制造商 Vishay Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 57A TO247
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 47mΩ@30.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 650V 650 V
Pd-功率耗散(Max) 520W(Tc) 360W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 40 毫欧 @ 28.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 6250 pF @ 300 V
Vgs(th) - 4V @ 2.85mA
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 105 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-247-3 TO-247
连续漏极电流Id 64A(Tc) 57A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C
系列 E -
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7407pF @ 100V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 371nC @ 10V -
库存与单价
库存 20 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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