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XP151A11B0MR-G  与  BSH108,215  区别

型号 XP151A11B0MR-G BSH108,215
唯样编号 A-XP151A11B0MR-G A-BSH108,215
制造商 Torex Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 1A SOT23 BSH Series 30 V 120 mO 0.83 W N-Channel Enhancement Mode Transistor - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
漏源极电压Vds - 30V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V -
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 0.83W
输出电容 - 70pF
栅极电压Vgs - 1.5V,20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT23 SOT23
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 120 毫欧 @ 500mA,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
工作温度 150°C(TJ) 150℃
连续漏极电流Id - 1.9A
输入电容 - 190pF
漏源电压(Vdss) 30V -
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta) -
Rds On(max)@Id,Vgs - 140mΩ@5V,120mΩ@10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
580+ :  ¥1.0209
1,000+ :  ¥0.7914
1,500+ :  ¥0.6487
3,000+ :  ¥0.5844
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
XP151A11B0MR-G Torex Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT23

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BSH108_SOT23

¥1.0209 

阶梯数 价格
580: ¥1.0209
1,000: ¥0.7914
1,500: ¥0.6487
3,000: ¥0.5844
0 对比

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