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XP151A11B0MR-G  与  RTR025N03TL  区别

型号 XP151A11B0MR-G RTR025N03TL
唯样编号 A-XP151A11B0MR-G A-RTR025N03TL
制造商 Torex Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 1A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.6 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 92mΩ@2.5A,4.5V
上升时间 - 15 ns
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V -
栅极电压Vgs - 12V
封装/外壳 SOT23 TSMT
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 2.5A
配置 - Single
长度 - 2.9 mm
漏源电压(Vdss) 30V -
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
下降时间 - 10 ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 10V -
高度 - 0.85 mm
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 1W(Ta)
典型关闭延迟时间 - 25 ns
FET类型 - N-Channel
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 120 毫欧 @ 500mA,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
系列 - RTR
通道数量 - 1 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 220pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.6nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 - 9 ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
XP151A11B0MR-G Torex Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT23

暂无价格 0 当前型号
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2.9mm TSMT

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2.9mm TSMT

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BSH108,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH108_SOT23

¥1.0209 

阶梯数 价格
580: ¥1.0209
1,000: ¥0.7914
1,500: ¥0.6487
3,000: ¥0.5844
0 对比

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