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DMN3033LSD-13  与  IRL6372TRPBF  区别

型号 DMN3033LSD-13 IRL6372TRPBF
唯样编号 A3-DMN3033LSD-13 A-IRL6372TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC Dual N-Channel 30 V 23 mOhm 11 nC 2 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 17.9mΩ@8.1A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 20mΩ@6.9A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 725pF @ 15V -
FET类型 2N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 13nC @ 10V -
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.9A 8.1A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1020pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1020pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 4.5V
库存与单价
库存 2,500 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3033LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

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