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FCD900N60Z  与  IPD65R950C6  区别

型号 FCD900N60Z IPD65R950C6
唯样编号 A3-FCD900N60Z A-IPD65R950C6
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 900mΩ@2.3A,10V 950mΩ@1.5A,10V
漏源极电压Vds 600V 700V
Pd-功率耗散(Max) 52W(Tc) 37W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK
连续漏极电流Id 4.5A(Tc) 4.5A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - CoolMOS™ C6
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 200µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 328pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15.3nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 720pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 2,500
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCD900N60Z ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3,Dpak,SC-63

暂无价格 0 当前型号
STD9N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 50,000 对比
STD5NM60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 20,000 对比
STD7NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 10,000 对比
AOD950A70 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥3.6735 

阶梯数 价格
1: ¥3.6735
100: ¥2.6471
1,000: ¥2.2785
2,500: ¥1.8
2,540 对比
IPD65R950C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R950C6ATMA1_DPAK

暂无价格 2,500 对比

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