首页 > 商品目录 > > > > FCD900N60Z代替型号比较

FCD900N60Z  与  STD5NM60T4  区别

型号 FCD900N60Z STD5NM60T4
唯样编号 A3-FCD900N60Z A3-STD5NM60T4
制造商 ON Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 900mΩ@2.3A,10V -
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 52W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-252-3,Dpak,SC-63 TO-252-3
连续漏极电流Id 4.5A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 720pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 20,000
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCD900N60Z ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3,Dpak,SC-63

暂无价格 0 当前型号
STD9N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 50,000 对比
STD5NM60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 20,000 对比
STD7NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 10,000 对比
AOD950A70 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥3.6735 

阶梯数 价格
1: ¥3.6735
100: ¥2.6471
1,000: ¥2.2785
2,500: ¥1.8
2,540 对比
IPD65R950C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R950C6ATMA1_DPAK

暂无价格 2,500 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售