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FDC610PZ  与  BSL307SP  区别

型号 FDC610PZ BSL307SP
唯样编号 A3-FDC610PZ A-BSL307SP
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 30 V 42 mOhm 24 nC SMT PowerTrench Mosfet - SSOT-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 1.6W(Ta) -
宽度 - 1.5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 42 毫欧 @ 4.9A,10V 74mΩ
上升时间 - 8.4ns
栅极电压Vgs ±25V 20V
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 PG-TSOP6-6
连续漏极电流Id 4.9A 5.5A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
配置 - SingleQuadDrain
长度 - 3mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 - 29ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2V @ 40µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1005pF @ 15V 805pF @ 25V
高度 - 1.10mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.6W(Ta) 2W
典型关闭延迟时间 - 36.4ns
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 PowerTrench® -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1005pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 24nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 7.3ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 24nC @ 10V 29nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDC610PZ ON Semiconductor 通用MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6 SuperSOT SOT-23-6细型,TSOT-23-6

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