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FDC610PZ  与  RSQ035P03TR  区别

型号 FDC610PZ RSQ035P03TR
唯样编号 A3-FDC610PZ A-RSQ035P03TR
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 P-Channel 30 V 42 mOhm 24 nC SMT PowerTrench Mosfet - SSOT-6 MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 1.6W(Ta) -
功率耗散(最大值) - 1.25W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 42 毫欧 @ 4.9A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 780pF @ 10V
栅极电压Vgs ±25V -
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 TSMT6(SC-95)
连续漏极电流Id 4.9A -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 65 毫欧 @ 3.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1005pF @ 15V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 1.6W(Ta) -
FET类型 P-Channel P 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1005pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 24nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 3.5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 24nC @ 10V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 9.2nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDC610PZ ON Semiconductor 通用MOSFET

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