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FDP3652  与  IRFB4510PBF  区别

型号 FDP3652 IRFB4510PBF
唯样编号 A3-FDP3652 A-IRFB4510PBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 16 mO PowerTrench Mosfet - TO-220AB Single N-Channel 100 V 13.5 mOhm 58 nC HEXFET Power Mosfet SMT - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 150W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 16 毫欧 @ 61A,10V 13.5mΩ@37A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 150W(Tc) 140W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
连续漏极电流Id 9A 62A
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
系列 PowerTrench® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V 3180pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 53nC @ 10V 87nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V 3180pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 53nC @ 10V 87nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
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