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FDP3652  与  PSMN013-100PS,127  区别

型号 FDP3652 PSMN013-100PS,127
唯样编号 A3-FDP3652 A-PSMN013-100PS,127
制造商 ON Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 16 mO PowerTrench Mosfet - TO-220AB PSMN Series 100 V 25 mOhm 170 W N-Channel Standard Level Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 150W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 16 毫欧 @ 61A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 150W(Tc) 170W
输出电容 - 221pF
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220
连续漏极电流Id 9A 68A
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V -
输入电容 - 3195pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 53nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 13.9mΩ@15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 53nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥9.4602
50+ :  ¥7.7543
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥9.4602 

阶梯数 价格
20: ¥9.4602
50: ¥7.7543
0 对比

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