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STD3NK60ZT4  与  FCD3400N80Z  区别

型号 STD3NK60ZT4 FCD3400N80Z
唯样编号 A3-STD3NK60ZT4 A-FCD3400N80Z
制造商 STMicroelectronics ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 3.6 Ohm Surface Mount SuperMESH Power MosFet -TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.6Ω@1.2A,10V -
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 45W(Tc) -
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 DPAK TO-252AA
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 2.4A -
系列 SuperMESH™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 311pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11.8nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 7,500 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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