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STD3NK60ZT4  与  IPD80R2K8CEATMA1  区别

型号 STD3NK60ZT4 IPD80R2K8CEATMA1
唯样编号 A3-STD3NK60ZT4 A-IPD80R2K8CEATMA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 3.6 Ohm Surface Mount SuperMESH Power MosFet -TO-252 MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 42W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.6Ω@1.2A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 45W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 290pF @ 100V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.4A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 120uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12nC @ 10V
系列 SuperMESH™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 311pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11.8nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 2.8 欧姆 @ 1.1A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.9A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 800V
库存与单价
库存 7,500 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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