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IPD80R1K0CEATMA1  与  IPD80R1K0CEBTMA1  区别

型号 IPD80R1K0CEATMA1 IPD80R1K0CEBTMA1
唯样编号 B-IPD80R1K0CEATMA1 A-IPD80R1K0CEBTMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3 MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 83W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs -55°C~150°C -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 800V -
Pd-功率耗散(Max) 83W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 785pF @ 100V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.7A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 31nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 950 毫欧 @ 3.6A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 5.7A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 800V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 42 - 126天 56 - 70天
单价(含税)
2,500+ :  ¥6.6168
5,000+ :  ¥6.368
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥6.6168 

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2,500: ¥6.6168
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