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IPD80R1K0CEATMA1  与  TK6P65W,RQ  区别

型号 IPD80R1K0CEATMA1 TK6P65W,RQ
唯样编号 B-IPD80R1K0CEATMA1 A-TK6P65W,RQ
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3 MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs -55°C~150°C -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 800V 650 V
Pd-功率耗散(Max) 83W 60W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 1.05 欧姆 @ 2.9A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 390 pF @ 300 V
Vgs(th) - 3.5V @ 180uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 11 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3 DPAK
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.7A 5.8A(Ta)
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 42 - 126天 56 - 70天
单价(含税)
2,500+ :  ¥6.6168
5,000+ :  ¥6.368
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD80R1K0CEATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD80R1K0CE_TO-252-3

¥6.6168 

阶梯数 价格
2,500: ¥6.6168
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