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IPD90N04S304ATMA1  与  RD3G600GNTL  区别

型号 IPD90N04S304ATMA1 RD3G600GNTL
唯样编号 B-IPD90N04S304ATMA1 A-RD3G600GNTL
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 136W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 40W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 3.6mOhms@60A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 2.5V@1mA
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 90uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 80nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 60A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.6 毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) ±20V ±20V
栅极电荷Qg - 46.5nC@10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 90A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 40V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 42 - 126天 56 - 70天
单价(含税)
2,500+ :  ¥11.6415
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