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IRF3415STRLPBF  与  IPB47N10S-33  区别

型号 IRF3415STRLPBF IPB47N10S-33
唯样编号 B-IRF3415STRLPBF A-IPB47N10S-33
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single HexFet 150 V 3.8 W 200 nC Surface Mount Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 42mΩ@22A,10V 33mΩ
上升时间 - 23ns
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 D2PAK -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 43A 47A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 15ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V -
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 150V 100V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),200W(Tc) 175W
典型关闭延迟时间 - 63ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 200nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 25ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 200nC @ 10V -
库存与单价
库存 800 0
工厂交货期 21 - 42天 56 - 70天
单价(含税)
800+ :  ¥9.951
1,600+ :  ¥9.858
2,400+ :  ¥9.765
3,200+ :  ¥9.672
4,000+ :  ¥9.486
暂无价格
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800: ¥9.951
1,600: ¥9.858
2,400: ¥9.765
3,200: ¥9.672
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