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IRF3415STRLPBF  与  IRFS41N15DPBF  区别

型号 IRF3415STRLPBF IRFS41N15DPBF
唯样编号 B-IRF3415STRLPBF A-IRFS41N15DPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single HexFet 150 V 3.8 W 200 nC Surface Mount Mosfet - TO-263-3 Single N-Channel 150 V 3.1 W 72 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 42mΩ@22A,10V 45mΩ@25A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),200W(Tc) 3.1W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK D2PAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 43A 41A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V 2520pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 200nC @ 10V 110nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V 2520pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 200nC @ 10V 110nC @ 10V
库存与单价
库存 800 0
工厂交货期 21 - 42天 56 - 70天
单价(含税)
800+ :  ¥9.951
1,600+ :  ¥9.858
2,400+ :  ¥9.765
3,200+ :  ¥9.672
4,000+ :  ¥9.486
暂无价格
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