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IRFR3411TRPBF  与  AOD464  区别

型号 IRFR3411TRPBF AOD464
唯样编号 B-IRFR3411TRPBF-1 A-AOD464
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 44 mOhm 71 nC 130 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 85
Rds On(Max)@Id,Vgs 44mΩ@16A,10V 28mΩ@20A,10V
Rds On(Max)@4.5V - 31mΩ
Qgd(nC) - 10
栅极电压Vgs ±20V ±25V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
Td(on)(ns) - 12.7
封装/外壳 D-Pak TO-252
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~175℃
连续漏极电流Id 32A 40A
Ciss(pF) - 2038
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 25V -
Trr(ns) - 59.6
Td(off)(ns) - 31.5
漏源极电压Vds 100V 105V
Pd-功率耗散(Max) 130W(Tc) 100W
Qrr(nC) - 161
VGS(th) - 4
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 71nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 71nC @ 10V -
Coss(pF) - 204
Qg*(nC) - 38.5*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 42 - 126天 56 - 70天
单价(含税)
2,000+ :  ¥5.97
4,000+ :  ¥5.8208
6,000+ :  ¥5.771
8,000+ :  ¥5.6715
暂无价格
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