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IRFR3411TRPBF  与  BUK9240-100A,118  区别

型号 IRFR3411TRPBF BUK9240-100A,118
唯样编号 B-IRFR3411TRPBF-1 A-BUK9240-100A,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 44 mOhm 71 nC 130 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3 N-Channel 100 V 38.6 mOhm SMT TrenchMOS Logic Level FET - TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 44mΩ@16A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 130W(Tc) 114W
输出电容 - 222pF
栅极电压Vgs ±20V 1.5V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak SOT428
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 32A 33A
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 25V -
输入电容 - 2304pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 71nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 44.6mΩ@4.5V,38.6mΩ@10V,40mΩ@5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 71nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 42 - 126天 56 - 70天
单价(含税)
2,000+ :  ¥5.97
4,000+ :  ¥5.8208
6,000+ :  ¥5.771
8,000+ :  ¥5.6715
490+ :  ¥10.2467
1,000+ :  ¥7.9432
1,250+ :  ¥6.5108
2,500+ :  ¥5.9732
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BUK9240-100A_SOT428

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