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NTGS4111PT1G  与  RSQ035P03TR  区别

型号 NTGS4111PT1G RSQ035P03TR
唯样编号 B-NTGS4111PT1G-1 A-RSQ035P03TR
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 630mW(Ta) -
功率耗散(最大值) - 1.25W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 60 毫欧 @ 3.7A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 780pF @ 10V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 TSOP TSMT6(SC-95)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.7A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 750pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 65 毫欧 @ 3.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 3.5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 9.2nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 42 - 126天 56 - 70天
单价(含税)
3,000+ :  ¥1.6318
6,000+ :  ¥1.602
12,000+ :  ¥1.5721
15,000+ :  ¥1.5622
45,000+ :  ¥1.5025
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTGS4111PT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TSOP

¥1.6318 

阶梯数 价格
3,000: ¥1.6318
6,000: ¥1.602
12,000: ¥1.5721
15,000: ¥1.5622
45,000: ¥1.5025
0 当前型号
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