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NTGS4111PT1G  与  FDC610PZ  区别

型号 NTGS4111PT1G FDC610PZ
唯样编号 B-NTGS4111PT1G-1 A3-FDC610PZ
制造商 ON Semiconductor ON Semiconductor
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 P-Channel 30 V 42 mOhm 24 nC SMT PowerTrench Mosfet - SSOT-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 630mW(Ta) 1.6W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 60 毫欧 @ 3.7A,10V 42 毫欧 @ 4.9A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) - 1.6W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±25V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TSOP SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.7A 4.9A
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 750pF @ 15V 1005pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 10V 24nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1005pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 24nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 42 - 126天 56 - 70天
单价(含税)
3,000+ :  ¥1.6318
6,000+ :  ¥1.602
12,000+ :  ¥1.5721
15,000+ :  ¥1.5622
45,000+ :  ¥1.5025
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTGS4111PT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TSOP

¥1.6318 

阶梯数 价格
3,000: ¥1.6318
6,000: ¥1.602
12,000: ¥1.5721
15,000: ¥1.5622
45,000: ¥1.5025
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