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NTGS4111PT1G  与  TPC6110(TE85L,F,M)  区别

型号 NTGS4111PT1G TPC6110(TE85L,F,M)
唯样编号 B-NTGS4111PT1G-1 A-TPC6110(TE85L,F,M)
制造商 ON Semiconductor Toshiba
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 4.5A VS-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 630mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 60 毫欧 @ 3.7A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V 30 V
Pd-功率耗散(Max) - 700mW(Ta)
产品状态 - 最后售卖
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 56 毫欧 @ 2.2A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 510 pF @ 10 V
Vgs(th) - 2V @ 100uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 14 nC @ 10 V
封装/外壳 TSOP VS-6(2.9x2.8)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.7A 4.5A(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 750pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 42 - 126天 56 - 70天
单价(含税)
3,000+ :  ¥1.6318
6,000+ :  ¥1.602
12,000+ :  ¥1.5721
15,000+ :  ¥1.5622
45,000+ :  ¥1.5025
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTGS4111PT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TSOP

¥1.6318 

阶梯数 价格
3,000: ¥1.6318
6,000: ¥1.602
12,000: ¥1.5721
15,000: ¥1.5622
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