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IRF7530TRPBF  与  IRF7530  区别

型号 IRF7530TRPBF IRF7530
唯样编号 B-IRF7530TRPBF-1 A-IRF7530
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Dual N-Channel 20 V 1.3 W 18 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Qgd (typ) - 3.4nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 30mΩ@5.4A,4.5V 45mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 1.3W
漏源极电压Vds 20V 20V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 1.3W -
栅极电压Vgs - 12V
RthJA max - 100.0K/W
FET类型 N-Channel 2N-Channel
封装/外壳 Micro8™ Micro8 (MO-187)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 5.4A 4.3A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1310pF @ 15V -
QG - 18.0nC
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1310pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V -
Tj max - 150.0°C
Budgetary Price €€/1k - 0.23
库存与单价
库存 12,000 0
工厂交货期 21 - 42天 56 - 70天
单价(含税)
4,000+ :  ¥3.1155
8,000+ :  ¥3.0225
12,000+ :  ¥2.976
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7530TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro8™

¥3.1155 

阶梯数 价格
4,000: ¥3.1155
8,000: ¥3.0225
12,000: ¥2.976
12,000 当前型号
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