尊敬的客户:五一劳动节5-1至5-3我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > IRF7530TRPBF代替型号比较

IRF7530TRPBF  与  IRF7601TRPBF  区别

型号 IRF7530TRPBF IRF7601TRPBF
唯样编号 B-IRF7530TRPBF-1 A-IRF7601TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N-Channel 20 V 1.3 W 18 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 30mΩ@5.4A,4.5V 35mΩ@3.8A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W 1.8W(Ta)
栅极电压Vgs - ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 Micro8™ Micro8™
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.4A 5.7A
系列 HEXFET® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 15V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA 700mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1310pF @ 15V 650pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V 22nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA 700mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1310pF @ 15V 650pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V 22nC @ 4.5V
库存与单价
库存 12,000 0
工厂交货期 21 - 42天 56 - 70天
单价(含税)
4,000+ :  ¥3.1155
8,000+ :  ¥3.0225
12,000+ :  ¥2.976
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7530TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro8™

¥3.1155 

阶梯数 价格
4,000: ¥3.1155
8,000: ¥3.0225
12,000: ¥2.976
12,000 当前型号
IRF7607TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro8™

暂无价格 0 对比
IRF7601TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro8™

暂无价格 0 对比
ZXMD63N02XTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

MSOP

暂无价格 0 对比
IRF7530 Infineon  数据手册 通用MOSFET

Micro8(MO-187)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售