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过滤结果 : 134

品牌

封装/外壳

FET类型

Rds On(Max)@Id,Vgs

Pd-功率耗散(Max)

工作温度

栅极电压Vgs

漏源极电压Vds

连续漏极电流Id

产品特性

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描述
关键参数
单价(含税)
库存
Inventchip(瞻芯电子)
授权代理品牌

自营

SiC MOSFET

TO263-7 19A -55°C~175°C 200mΩ 1.2KV 车规

封装/外壳 : TO263-7

连续漏极电流Id : 19A

工作温度 : -55°C~175°C

Rds On(Max)@Id,Vgs : 200mΩ

漏源极电压Vds : 1.2KV

产品特性 : 车规

库存: 400

客服询价

MPQ:800

交期:3天-5天

SiC MOSFET

车规 HiP247-3

产品特性 : 车规

封装/外壳 : HiP247-3

库存: 1,000

客服询价

MPQ:1,000

交期:5天-7天

SiC MOSFET

车规 H2PAK-7

产品特性 : 车规

封装/外壳 : H2PAK-7

库存: 1,000

客服询价

MPQ:1,000

交期:5天-7天

ROHM(罗姆)
授权代理品牌

严选

SiC MOSFET

N-Channel 118A(Tc) 5.6V@23.5mA 427W TO-247-3 175℃(TJ) 650V 车规

量产中

数据手册

FET类型 : N-Channel

连续漏极电流Id : 118A(Tc)

栅极电压Vgs : 5.6V@23.5mA

Pd-功率耗散(Max) : 427W

封装/外壳 : TO-247-3

工作温度 : 175℃(TJ)

漏源极电压Vds : 650V

产品特性 : 车规

找替代

库存: 677

客服询价

MPQ:450

交期:3天-15天

SiC MOSFET

车规 HiP-247-4

产品特性 : 车规

封装/外壳 : HiP-247-4

库存: 600

客服询价

MPQ:600

交期:5天-7天

SiC MOSFET

车规 HIP-247-4

产品特性 : 车规

封装/外壳 : HIP-247-4

库存: 600

客服询价

MPQ:600

交期:5天-7天

ROHM(罗姆)
授权代理品牌

严选

SiC MOSFET

SICFET N-CH 1200V 24A TO247N

量产中

数据手册

工作温度 : 175°C(TJ)

FET类型 : N 通道

封装/外壳 : TO-247N

产品特性 : 车规

找替代

库存: 480

客服询价

MPQ:30

交期:3天-15天

ROHM(罗姆)
授权代理品牌

严选

SiC MOSFET

N-Channel 1200V 55A(Ta) 52mΩ@20A,18V +22V,-4V 262W 175°C(TJ) TO-247N 车规

量产中

数据手册

FET类型 : N-Channel

漏源极电压Vds : 1200V

连续漏极电流Id : 55A(Ta)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 52mΩ@20A,18V

栅极电压Vgs : +22V,-4V

Pd-功率耗散(Max) : 262W

工作温度 : 175°C(TJ)

封装/外壳 : TO-247N

产品特性 : 车规

库存: 450

客服询价

MPQ:450

交期:3天-15天

ROHM(罗姆)
授权代理品牌

严选

SiC MOSFET

N-Channel 72A(Tc) 5.6V@13.3mA 339W TO-247-3 175℃(TJ) 1200V 车规

量产中

数据手册

FET类型 : N-Channel

连续漏极电流Id : 72A(Tc)

栅极电压Vgs : 5.6V@13.3mA

Pd-功率耗散(Max) : 339W

封装/外壳 : TO-247-3

工作温度 : 175℃(TJ)

漏源极电压Vds : 1200V

产品特性 : 车规

库存: 419

客服询价

MPQ:450

交期:3天-15天

ROHM(罗姆)
授权代理品牌

严选

SiC MOSFET

SICFET N-CH 650V 93A TO247N

量产中

数据手册

工作温度 : 175°C(TJ)

FET类型 : N 通道

封装/外壳 : TO-247N

产品特性 : 车规

库存: 394

客服询价

MPQ:30

交期:3天-15天

ROHM(罗姆)
授权代理品牌

严选

SiC MOSFET

SICFET N-CH 650V 70A TO247N

量产中

数据手册

工作温度 : 175°C(TJ)

FET类型 : N 通道

封装/外壳 : TO-247N

产品特性 : 车规

库存: 352

客服询价

MPQ:30

交期:3天-15天

ROHM(罗姆)
授权代理品牌

严选

SiC MOSFET

N-Channel 30A(Tc) 5.6V@5mA 134W TO-247-3 175℃(TJ) 650V 车规

量产中

数据手册

FET类型 : N-Channel

连续漏极电流Id : 30A(Tc)

栅极电压Vgs : 5.6V@5mA

Pd-功率耗散(Max) : 134W

封装/外壳 : TO-247-3

工作温度 : 175℃(TJ)

漏源极电压Vds : 650V

产品特性 : 车规

库存: 317

客服询价

MPQ:450

交期:3天-15天

ROHM(罗姆)
授权代理品牌

严选

SiC MOSFET

SICFET N-CH 1200V 31A TO247N

量产中

数据手册

工作温度 : 175°C(TJ)

FET类型 : N 通道

封装/外壳 : TO-247N

产品特性 : 车规

库存: 219

客服询价

MPQ:30

交期:3天-15天

ROHM(罗姆)
授权代理品牌

严选

SiC MOSFET

SICFET N-CH 1200V 17A TO247N

量产中

数据手册

工作温度 : 175°C(TJ)

FET类型 : N 通道

封装/外壳 : TO-247N

产品特性 : 车规

库存: 104

客服询价

MPQ:30

交期:3天-15天

ROHM(罗姆)
授权代理品牌

严选

SiC MOSFET

1200V, 14A, THD, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive

量产中

数据手册

封装/外壳 : TO-247N

FET类型 : N-Channel

产品特性 : 车规

库存: 55

客服询价

MPQ:30

交期:3天-15天

ROHM(罗姆)
授权代理品牌

严选

SiC MOSFET

1200V, 22A, THD, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive

量产中

数据手册

封装/外壳 : TO-247N

FET类型 : N-Channel

产品特性 : 车规

库存: 55

客服询价

MPQ:30

交期:3天-15天

ROHM(罗姆)
授权代理品牌

严选

SiC MOSFET

1200V, 10A, THD, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive

量产中

数据手册

封装/外壳 : TO-247N

FET类型 : N-Channel

产品特性 : 车规

库存: 38

客服询价

MPQ:30

交期:3天-15天

封装/外壳 : TO-247

产品特性 : 车规

库存: 10

客服询价

MPQ:5

交期:3天-15天

ROHM(罗姆)
授权代理品牌

严选

SiC MOSFET

SICFET N-CH 650V 39A TO247N

量产中

数据手册

工作温度 : 175°C(TJ)

FET类型 : N 通道

封装/外壳 : TO-247N

产品特性 : 车规

库存: 8

客服询价

MPQ:30

交期:3天-15天

ROHM(罗姆)
授权代理品牌

严选

SiC MOSFET

1200V, 24A, 7-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive

生产年份 :  2023 年

产品特性 : 车规

2+:¥102.0909
5+:¥56.7183
10+:¥51.0551
30+:¥47.2700
50+:¥46.5130
60+:¥46.3214
100+:¥45.9477
200+:¥45.6602

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库存: 1,000

MPQ:0

交期:3周-4周

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  • 20条/页
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