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商品型号 |
制造商 |
描述 |
关键参数 |
单价(含税)
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库存 |
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TVS/ESD电路保护二极管 SOD-962 SMD0603 10 W 1 A Bi-directional Transient Voltage Suppressor
TVS/ESD电路保护二极管
SOD-962 SMD0603 10 W 1 A Bi-directional Transient Voltage Suppressor
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封装/外壳 : SOD-962 反向击穿电压Vbr : 6V 钳位电压Vc : 10V 反向工作电压Vrwm : 5V 峰值脉冲电流Ipp : 1A 工作温度 : -55℃~150℃ |
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库存:14801 MPQ:15000 |
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SBD肖特基二极管 DFN1006-2 1A 30V 30V 200mA 0.5V 30uA -40℃`125℃
SBD肖特基二极管
DFN1006-2 1A 30V 30V 200mA 0.5V 30uA -40℃`125℃
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封装/外壳 : DFN1006-2 正向浪涌电流Ifsm : 1A 反向峰值电压Vrrm : 30V 反向电压Vr : 30V 正向电流If : 200mA 正向电压Vf : 0.5V 反向漏电流Ir : 30uA 工作温度 : -40℃`125℃ |
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库存:7995 MPQ:8000 |
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小信号MOSFET RUM002N05 Series 50 V 2.2 Ohm Surface Mount Silicon N-Channel MOSFET - VMT-3
小信号MOSFET
RUM002N05 Series 50 V 2.2 Ohm Surface Mount Silicon N-Channel MOSFET - VMT-3
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封装/外壳 : VMT FET类型 : N-Channel 工作温度 : 150°C(TJ) 栅极电压Vgs : ±8V 漏源极电压Vds : 50V 连续漏极电流Id : 0.2A Pd-功率耗散(Max) : 150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs : 2.2Ω@200mA,4.5V |
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库存:7600 MPQ:8000 |
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SBD肖特基二极管 RB521G-30 Series 30 V 10 uA Surface Mount Schottky Barrier Diode - VMD-2
SBD肖特基二极管
RB521G-30 Series 30 V 10 uA Surface Mount Schottky Barrier Diode - VMD-2
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封装/外壳 : SOD-723 正向浪涌电流Ifsm : 500mA 反向电压Vr : 30V 正向电流If : 100mA 正向电压Vf : 0.35V 反向漏电流Ir : 10uA 工作温度 : -40℃~125℃ |
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库存:6599 MPQ:8000 |
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小信号MOSFET RUM002N02 Series 20 V 1.2 Ohm 200 mA Surface Mount N-Channel MOSFET - VMT-3
小信号MOSFET
RUM002N02 Series 20 V 1.2 Ohm 200 mA Surface Mount N-Channel MOSFET - VMT-3
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封装/外壳 : VMT FET类型 : N-Channel 工作温度 : 150°C(TJ) 栅极电压Vgs : ±8V 漏源极电压Vds : 20V 连续漏极电流Id : 0.2A Pd-功率耗散(Max) : 150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs : 1.2Ω@200mA,2.5V |
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库存:3940 MPQ:8000 |
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开关二极管 DAN222M Series 100 mA 80 V 150 mW Surface Mount Switching Diode - VMD3
开关二极管
DAN222M Series 100 mA 80 V 150 mW Surface Mount Switching Diode - VMD3
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封装/外壳 : SOT-723 |
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库存:3860 MPQ:8000 |
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IR红外发射管 SIM-030ST Series 870 nm 100 mA ±20° Surface Mount High Output Infrared LED
IR红外发射管
SIM-030ST Series 870 nm 100 mA ±20° Surface Mount High Output Infrared LED
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库存:2997 MPQ:3000 |
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SBD肖特基二极管 SOD-123FL 20A 60V 60V 1A 0.65V 100uA -40℃~150℃
SBD肖特基二极管
SOD-123FL 20A 60V 60V 1A 0.65V 100uA -40℃~150℃
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封装/外壳 : SOD-123FL 正向浪涌电流Ifsm : 20A 反向峰值电压Vrrm : 60V 反向电压Vr : 60V 正向电流If : 1A 正向电压Vf : 0.65V 反向漏电流Ir : 100uA 工作温度 : -40℃~150℃ |
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库存:2993 MPQ:3000 |
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整流二极管 Diode Rectifying 400V 0.7A 2-Pin SOD-123 T/R
整流二极管
Diode Rectifying 400V 0.7A 2-Pin SOD-123 T/R
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封装/外壳 : SOD-123FL 正向浪涌电流Ifsm : 25A 反向峰值电压Vrrm : 400V 反向电压Vr : 400V 正向电流If : 700mA 正向电压Vf : 1.1V 反向漏电流Ir : 10uA 工作温度 : -55℃~150℃ |
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库存:2970 MPQ:3000 |
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SBD肖特基二极管 SOD-128 50A 95V 90V 1A 0.73V 100uA -55℃~150℃
SBD肖特基二极管
SOD-128 50A 95V 90V 1A 0.73V 100uA -55℃~150℃
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封装/外壳 : SOD-128 正向浪涌电流Ifsm : 50A 反向峰值电压Vrrm : 95V 反向电压Vr : 90V 正向电流If : 1A 正向电压Vf : 0.73V 反向漏电流Ir : 100uA 工作温度 : -55℃~150℃ |
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库存:2970 MPQ:3000 |
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通用三极管 IMD10A Series 50 V 500 mA Surface Mount Dual NPN/PNP Digital Transistor - SC-74
通用三极管
IMD10A Series 50 V 500 mA Surface Mount Dual NPN/PNP Digital Transistor - SC-74
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封装/外壳 : SOT-457 功率耗散Pd : 300mW 晶体管类型 : PNP/NPN 集电极-发射极最大电压VCEO : -50V,50V 集电极连续电流 : -500mA,100mA 集电极-射极饱和电压 : -300mV,300mV 直流电流增益hFE : 68,100 特征频率fT : 200MHz,250MHz |
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库存:2900 MPQ:3000 |
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快恢复/超快恢复二极管 SOD-128 15A 700V 700V 800mA 1.5V 1uA 80ns -55℃~150℃
快恢复/超快恢复二极管
SOD-128 15A 700V 700V 800mA 1.5V 1uA 80ns -55℃~150℃
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封装/外壳 : SOD-128 正向浪涌电流Ifsm : 15A 反向峰值电压Vrrm : 700V 反向电压Vr : 700V 正向电流If : 800mA 正向电压Vf : 1.5V 反向漏电流Ir : 1uA 反向恢复时间trr : 80ns 工作温度 : -55℃~150℃ |
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库存:2845 MPQ:3000 |
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功率MOSFET 8-PowerVDFN N-Channel 150°C(TJ) ±20V 30V 8A(Ta) 2W(Ta) 15.2mΩ@8A,10V
功率MOSFET
8-PowerVDFN N-Channel 150°C(TJ) ±20V 30V 8A(Ta) 2W(Ta) 15.2mΩ@8A,10V
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封装/外壳 : 8-PowerVDFN FET类型 : N-Channel 工作温度 : 150°C(TJ) 栅极电压Vgs : ±20V 漏源极电压Vds : 30V 连续漏极电流Id : 8A(Ta) Pd-功率耗散(Max) : 2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs : 15.2mΩ@8A,10V |
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库存:2745 MPQ:3000 |
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SBD肖特基二极管 SOD-128 60A 30V 30V 2A 0.44V 150uA -55℃~150℃
SBD肖特基二极管
SOD-128 60A 30V 30V 2A 0.44V 150uA -55℃~150℃
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封装/外壳 : SOD-128 正向浪涌电流Ifsm : 60A 反向峰值电压Vrrm : 30V 反向电压Vr : 30V 正向电流If : 2A 正向电压Vf : 0.44V 反向漏电流Ir : 150uA 工作温度 : -55℃~150℃ |
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库存:2721 MPQ:3000 |
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SBD肖特基二极管 SOD-128 100A 25V 20V 5A 0.39V 500uA -55℃~125℃
SBD肖特基二极管
SOD-128 100A 25V 20V 5A 0.39V 500uA -55℃~125℃
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封装/外壳 : SOD-128 正向浪涌电流Ifsm : 100A 反向峰值电压Vrrm : 25V 反向电压Vr : 20V 正向电流If : 5A 正向电压Vf : 0.39V 反向漏电流Ir : 500uA 工作温度 : -55℃~125℃ |
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库存:2677 MPQ:3000 |
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开关二极管 SOT-23
开关二极管
SOT-23
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封装/外壳 : SOT-23 |
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库存:2625 MPQ:3000 |
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SBD肖特基二极管 SOD-523 1A 30V 30V 200mA 0.58V 1uA -40℃~150℃
SBD肖特基二极管
SOD-523 1A 30V 30V 200mA 0.58V 1uA -40℃~150℃
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封装/外壳 : SOD-523 正向浪涌电流Ifsm : 1A 反向峰值电压Vrrm : 30V 反向电压Vr : 30V 正向电流If : 200mA 正向电压Vf : 0.58V 反向漏电流Ir : 1uA 工作温度 : -40℃~150℃ |
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库存:2589 MPQ:8000 |
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SBD肖特基二极管 SOD-128 50A 40V 40V 2A 0.69V 1uA -55℃~150℃
SBD肖特基二极管
SOD-128 50A 40V 40V 2A 0.69V 1uA -55℃~150℃
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封装/外壳 : SOD-128 正向浪涌电流Ifsm : 50A 反向峰值电压Vrrm : 40V 反向电压Vr : 40V 正向电流If : 2A 正向电压Vf : 0.69V 反向漏电流Ir : 1uA 工作温度 : -55℃~150℃ |
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库存:2589 MPQ:3000 |
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音频放大器 Dual Channel 18 V 450 mW 1.5 dB SMT Ground Isolation Audio Amplifier - SOP-8
音频放大器
Dual Channel 18 V 450 mW 1.5 dB SMT Ground Isolation Audio Amplifier - SOP-8
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封装/外壳 : 8-SOIC |
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库存:2477 MPQ:2500 |
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SBD肖特基二极管 DIODE SCHOTTKY 150V 3A PMDTM
SBD肖特基二极管
DIODE SCHOTTKY 150V 3A PMDTM
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封装/外壳 : SOD-128 正向浪涌电流Ifsm : 80A 反向峰值电压Vrrm : 150V 反向电压Vr : 150V 正向电流If : 3A 正向电压Vf : 0.84V 反向漏电流Ir : 3uA 工作温度 : -55℃~150℃ |
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库存:2448 MPQ:3000 |
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快恢复/超快恢复二极管 TO-252 50A 600V 600V 5A 1.7V 10uA 30ns -55℃~150℃
快恢复/超快恢复二极管
TO-252 50A 600V 600V 5A 1.7V 10uA 30ns -55℃~150℃
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封装/外壳 : TO-252 正向浪涌电流Ifsm : 50A 反向峰值电压Vrrm : 600V 反向电压Vr : 600V 正向电流If : 5A 正向电压Vf : 1.7V 反向漏电流Ir : 10uA 反向恢复时间trr : 30ns 工作温度 : -55℃~150℃ |
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库存:2390 MPQ:2500 |
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通用三极管 2SB1316 Series 100 V 2 A SMT Darlington PNP Power Transistor - SC-63
通用三极管
2SB1316 Series 100 V 2 A SMT Darlington PNP Power Transistor - SC-63
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封装/外壳 : TO-252 功率耗散Pd : 1W 晶体管类型 : PNP 集电极-发射极最大电压VCEO : -100V 集电极连续电流 : -2A 集电极-射极饱和电压 : -1.5V 直流电流增益hFE : 1000 特征频率fT : 50MHz |
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库存:2376 MPQ:2500 |
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电机驱动/控制器 8-SOP
电机驱动/控制器
8-SOP
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封装/外壳 : 8-SOP |
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库存:2370 MPQ:2500 |
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通用三极管 SOT-457 300mW PNP/NPN -50V,50V -500mA,100mA -300mV,300mV 82,100 250MHz,250MHz
通用三极管
SOT-457 300mW PNP/NPN -50V,50V -500mA,100mA -300mV,300mV 82,100 250MHz,250MHz
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封装/外壳 : SOT-457 功率耗散Pd : 300mW 晶体管类型 : PNP/NPN 集电极-发射极最大电压VCEO : -50V,50V 集电极连续电流 : -500mA,100mA 集电极-射极饱和电压 : -300mV,300mV 直流电流增益hFE : 82,100 特征频率fT : 250MHz,250MHz |
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库存:2351 MPQ:3000 |
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IR红外发射管 SIM-040ST ±20° 870 nm 100 mA Surface Mount High Output Infrared LED
IR红外发射管
SIM-040ST ±20° 870 nm 100 mA Surface Mount High Output Infrared LED
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库存:1998 MPQ:2000 |
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LDO(低压差线性稳压器) TO-263-6,D²Pak(5引线+接片),TO-263BA
LDO(低压差线性稳压器)
TO-263-6,D²Pak(5引线+接片),TO-263BA
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封装/外壳 : TO-263-6,D²Pak(5引线+接片),TO-263BA |
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库存:1963 MPQ:2000 |
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SBD肖特基二极管 SOD-323HE 10A 40V 40V 1A 0.55V 50uA -40℃~150℃
SBD肖特基二极管
SOD-323HE 10A 40V 40V 1A 0.55V 50uA -40℃~150℃
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封装/外壳 : SOD-323HE 正向浪涌电流Ifsm : 10A 反向峰值电压Vrrm : 40V 反向电压Vr : 40V 正向电流If : 1A 正向电压Vf : 0.55V 反向漏电流Ir : 50uA 工作温度 : -40℃~150℃ |
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库存:1885 MPQ:3000 |
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稳压(齐纳)二极管 SOD-323FL 5.6V 60 Ohms 200mW -55℃~150℃ 1uA @ 2.5V
稳压(齐纳)二极管
SOD-323FL 5.6V 60 Ohms 200mW -55℃~150℃ 1uA @ 2.5V
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封装/外壳 : SOD-323FL 齐纳电压Vz : 5.6V 齐纳阻抗Zzt : 60 Ohms 功率 : 200mW 工作温度 : -55℃~150℃ 反向漏电流Ir : 1uA @ 2.5V |
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库存:1830 MPQ:3000 |
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小信号MOSFET SC-85 P-Channel -55°C~150°C ±10V 20V 100mA(Ta) 150mW(Ta) 3.8Ω@100mA,4.5V
小信号MOSFET
SC-85 P-Channel -55°C~150°C ±10V 20V 100mA(Ta) 150mW(Ta) 3.8Ω@100mA,4.5V
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封装/外壳 : SC-85 FET类型 : P-Channel 工作温度 : -55°C~150°C 栅极电压Vgs : ±10V 漏源极电压Vds : 20V 连续漏极电流Id : 100mA(Ta) Pd-功率耗散(Max) : 150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs : 3.8Ω@100mA,4.5V |
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库存:1720 MPQ:3000 |
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SBD肖特基二极管 SOD-123FL 30A 60V 60V 3A 0.66V 100uA -55℃~150℃
SBD肖特基二极管
SOD-123FL 30A 60V 60V 3A 0.66V 100uA -55℃~150℃
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封装/外壳 : SOD-123FL 正向浪涌电流Ifsm : 30A 反向峰值电压Vrrm : 60V 反向电压Vr : 60V 正向电流If : 3A 正向电压Vf : 0.66V 反向漏电流Ir : 100uA 工作温度 : -55℃~150℃ |
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库存:1678 MPQ:3000 |
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光学传感器 IC
光学传感器
IC
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封装/外壳 : 8-SMD 模块 产品特性 : 环境光 |
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库存:1451 MPQ:2500 |
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贴片钽电容 TC Series 10 uF ±20 % 6.3V Surface Mount Tantalum Chip Capacitor
贴片钽电容
TC Series 10 uF ±20 % 6.3V Surface Mount Tantalum Chip Capacitor
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封装/外壳 : 0603/1608-09 容值 : 10uF 偏差 : ±20% 电压 : 6.3V ESR : 9 Ohms 产品特性 : 固体MnO2 |
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库存:1338 MPQ:4000 |
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SBD肖特基二极管 SOD-123FL 30A 60V 60V 2A 0.61V 50uA -40℃~150℃
SBD肖特基二极管
SOD-123FL 30A 60V 60V 2A 0.61V 50uA -40℃~150℃
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封装/外壳 : SOD-123FL 正向浪涌电流Ifsm : 30A 反向峰值电压Vrrm : 60V 反向电压Vr : 60V 正向电流If : 2A 正向电压Vf : 0.61V 反向漏电流Ir : 50uA 工作温度 : -40℃~150℃ |
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库存:1255 MPQ:3000 |
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贴片LED/灯珠 0603 黄绿色 54mW -40~+85℃ 2.2V 5V 20mA 572nm
贴片LED/灯珠
0603 黄绿色 54mW -40~+85℃ 2.2V 5V 20mA 572nm
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封装/外壳 : 0603 颜色 : 黄绿色 功率 : 54mW 工作温度 : -40~+85℃ 正向电压Vf : 2.2V 反向电压Vr : 5V 正向电流If : 20mA 波长 : 572nm |
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库存:1113 MPQ:3000 |
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光电传感器 RPI-0226 Series 850 nm 50 mA Surface Mount Photointerrupter Ultraminiature
光电传感器
RPI-0226 Series 850 nm 50 mA Surface Mount Photointerrupter Ultraminiature
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封装/外壳 : 模块,扁平引线,槽型 产品特性 : 槽隙式 |
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库存:1035 MPQ:2000 |
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贴片LED/灯珠
贴片LED/灯珠
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库存:1000 MPQ:5000 |
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功率MOSFET TO-263-3 N-Channel -55℃~150℃ ±20V 100V 65A 9.1mΩ@32.5A,10V 100W
功率MOSFET
TO-263-3 N-Channel -55℃~150℃ ±20V 100V 65A 9.1mΩ@32.5A,10V 100W
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封装/外壳 : TO-263-3 FET类型 : N-Channel 工作温度 : -55℃~150℃ 栅极电压Vgs : ±20V 漏源极电压Vds : 100V 连续漏极电流Id : 65A Rds On(Max)@Id,Vgs : 9.1mΩ@32.5A,10V Pd-功率耗散(Max) : 100W |
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库存:998 MPQ:1000 |
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贴片LED/灯珠 3.1*2.8*0.6mm RGB 2.1V红色,3.3V绿色,3.3V蓝色 624nm红色,527nm绿色,470nm蓝色
贴片LED/灯珠
3.1*2.8*0.6mm RGB 2.1V红色,3.3V绿色,3.3V蓝色 624nm红色,527nm绿色,470nm蓝色
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封装/外壳 : 3.1*2.8*0.6mm 颜色 : RGB 正向电压Vf : 2.1V红色,3.3V绿色,3.3V蓝色 波长 : 624nm红色,527nm绿色,470nm蓝色 |
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库存:878 MPQ:1000 |
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光电传感器 RPI Series 800 nm 30 V 50 mA Through Hole 3 mm Small Gap Photointerrupter
光电传感器
RPI Series 800 nm 30 V 50 mA Through Hole 3 mm Small Gap Photointerrupter
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封装/外壳 : PCB安装 产品特性 : 槽隙式 |
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库存:737 MPQ:1000 |
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贴片LED/灯珠 620nm 红色,570nm 黄绿,1.9V 红色,2V 黄绿 0603
贴片LED/灯珠
620nm 红色,570nm 黄绿,1.9V 红色,2V 黄绿 0603
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封装/外壳 : 0603 颜色 : 黄绿色 |
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库存:696 MPQ:3000 |
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SBD肖特基二极管 DIODE SCHOTTKY 20V 500MA UMD2
SBD肖特基二极管
DIODE SCHOTTKY 20V 500MA UMD2
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封装/外壳 : SOD-323FL 正向浪涌电流Ifsm : 2A 反向峰值电压Vrrm : 30V 反向电压Vr : 20V 正向电流If : 500mA 正向电压Vf : 0.47V 反向漏电流Ir : 100uA 工作温度 : -40℃`125℃ |
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库存:565 MPQ:3000 |
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功率MOSFET TO-220-3 N-Channel -55°C~150°C(TJ) ±20V 600V 30A(Tc) 86W(Tc) 130mΩ@14.5A,10V
功率MOSFET
TO-220-3 N-Channel -55°C~150°C(TJ) ±20V 600V 30A(Tc) 86W(Tc) 130mΩ@14.5A,10V
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封装/外壳 : TO-220-3 FET类型 : N-Channel 工作温度 : -55°C~150°C(TJ) 栅极电压Vgs : ±20V 漏源极电压Vds : 600V 连续漏极电流Id : 30A(Tc) Pd-功率耗散(Max) : 86W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs : 130mΩ@14.5A,10V |
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库存:495 MPQ:1000 |
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光电传感器 General Size 50 mA 30 V 800 nm Through Hole Reflective Photosensor
光电传感器
General Size 50 mA 30 V 800 nm Through Hole Reflective Photosensor
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库存:492 MPQ:500 |
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功率MOSFET TO-220-3 N-Channel 150°C(TJ) ±20V 600V 11A 40W 390mΩ@3.8A,10V
功率MOSFET
TO-220-3 N-Channel 150°C(TJ) ±20V 600V 11A 40W 390mΩ@3.8A,10V
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封装/外壳 : TO-220-3 FET类型 : N-Channel 工作温度 : 150°C(TJ) 栅极电压Vgs : ±20V 漏源极电压Vds : 600V 连续漏极电流Id : 11A Pd-功率耗散(Max) : 40W Rds On(Max)@Id,Vgs : 390mΩ@3.8A,10V |
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库存:486 MPQ:500 |
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光电晶体管
光电晶体管
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库存:480 MPQ:2000 |
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开关控制/稳压器 HTSOP-J-8 车规
开关控制/稳压器
HTSOP-J-8 车规
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封装/外壳 : HTSOP-J-8 产品特性 : 车规 |
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库存:300 MPQ:2500 |
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光电晶体管
光电晶体管
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库存:250 MPQ:2000 |
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小信号MOSFET RE1C002UN Series 20 V 1.2 Ohm 200 mA Surface Mount Small Signal Mosfet - EMT-3F
小信号MOSFET
RE1C002UN Series 20 V 1.2 Ohm 200 mA Surface Mount Small Signal Mosfet - EMT-3F
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封装/外壳 : EMTF FET类型 : N-Channel 工作温度 : 150°C(TJ) 栅极电压Vgs : ±8V 漏源极电压Vds : 20V 连续漏极电流Id : 0.2A Pd-功率耗散(Max) : 150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs : 1.2Ω@100mA,2.5V |
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库存:237 MPQ:3000 |
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光电传感器 RPI-121 Series 950 nm 50 mA Photointerrupter Ultraminiature Type
光电传感器
RPI-121 Series 950 nm 50 mA Photointerrupter Ultraminiature Type
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封装/外壳 : PCB安装 产品特性 : 槽隙式 |
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库存:228 MPQ:2000 |
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小信号MOSFET MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F
小信号MOSFET
MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F
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封装/外壳 : UMTF FET类型 : N-Channel 工作温度 : 150°C(TJ) 栅极电压Vgs : ±8V 漏源极电压Vds : 50V 连续漏极电流Id : 0.2A Pd-功率耗散(Max) : 150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs : 2.2Ω@200mA,4.5V |
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库存:175 MPQ:3000 |