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商品型号 |
制造商 |
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关键参数 |
单价(含税)
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库存 |
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SiC肖特基二极管 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220AC
SiC肖特基二极管
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220AC
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封装/外壳 : TO-220ACG |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 TO-263AB 52A 650V 650V 15A 1.55V 300uA -55°C~175°C
SiC肖特基二极管
TO-263AB 52A 650V 650V 15A 1.55V 300uA -55°C~175°C
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封装/外壳 : TO-263AB 正向浪涌电流Ifsm : 52A 反向峰值电压Vrrm : 650V 反向电压Vr : 650V 正向电流If : 15A 正向电压Vf : 1.55V 反向漏电流Ir : 300uA 工作温度 : -55°C~175°C |
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库存:2000 MPQ:1000 |
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SiC肖特基二极管 SCS205KG Series 1200 V 5 A Flange Mount SIC Schottky Barrier Diode - TO-220AC
SiC肖特基二极管
SCS205KG Series 1200 V 5 A Flange Mount SIC Schottky Barrier Diode - TO-220AC
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封装/外壳 : TO-220AC 正向浪涌电流Ifsm : 23A 反向峰值电压Vrrm : 1200V 反向电压Vr : 1200V 正向电流If : 5A 正向电压Vf : 1.6V 反向漏电流Ir : 100uA 工作温度 : -55°C~175°C |
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库存:1003 MPQ:1000 |
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SiC肖特基二极管 DIODES SILICON CARBIDE
SiC肖特基二极管
DIODES SILICON CARBIDE
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封装/外壳 : TO-263AB 正向浪涌电流Ifsm : 450A 反向峰值电压Vrrm : 650V 反向电压Vr : 650V 正向电流If : 20A 正向电压Vf : 1.5V 反向漏电流Ir : 100uA 工作温度 : -55°C~175°C |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 DIODES SILICON CARBIDE
SiC肖特基二极管
DIODES SILICON CARBIDE
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封装/外壳 : TO-263AB 正向浪涌电流Ifsm : 300A 反向峰值电压Vrrm : 650V 反向电压Vr : 650V 正向电流If : 10A 正向电压Vf : 1.5V 反向漏电流Ir : 50uA 工作温度 : -55°C~175°C |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO220AC
SiC肖特基二极管
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO220AC
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封装/外壳 : TO-220ACG |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 650V, 12A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD
SiC肖特基二极管
650V, 12A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD
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封装/外壳 : TO-220ACG |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 1200V, 20A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD
SiC肖特基二极管
1200V, 20A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD
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封装/外壳 : TO-220ACG |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220AC
SiC肖特基二极管
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220AC
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封装/外壳 : TO-220ACG |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 650V, 8A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD
SiC肖特基二极管
650V, 8A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD
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封装/外壳 : TO-220ACG |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 650V, 10A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD
SiC肖特基二极管
650V, 10A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD
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封装/外壳 : TO-220ACG |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220AC
SiC肖特基二极管
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220AC
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封装/外壳 : TO-220ACG |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 650V, 6A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD
SiC肖特基二极管
650V, 6A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD
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封装/外壳 : TO-220ACG |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 650V, 15A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive
SiC肖特基二极管
650V, 15A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive
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封装/外壳 : TO-263-2L 产品特性 : 车规 |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 1200V, 5A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive
SiC肖特基二极管
1200V, 5A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive
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封装/外壳 : TO-263-2L 产品特性 : 车规 |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 650V, 12A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive
SiC肖特基二极管
650V, 12A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive
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封装/外壳 : TO-263-2L 产品特性 : 车规 |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 SCS205KG Series 1200 V 5 A Flange Mount SIC Schottky Barrier Diode - TO-220AC
SiC肖特基二极管
SCS205KG Series 1200 V 5 A Flange Mount SIC Schottky Barrier Diode - TO-220AC
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封装/外壳 : TO-220AC 正向浪涌电流Ifsm : 23A 反向峰值电压Vrrm : 1200V 反向电压Vr : 1200V 正向电流If : 5A 正向电压Vf : 1.6V 反向漏电流Ir : 100uA 工作温度 : -55°C~175°C |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 TO-263AB 30A 650V 650V 8A 1.55V 160uA -55°C~175°C 车规
SiC肖特基二极管
TO-263AB 30A 650V 650V 8A 1.55V 160uA -55°C~175°C 车规
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封装/外壳 : TO-263AB 正向浪涌电流Ifsm : 30A 反向峰值电压Vrrm : 650V 反向电压Vr : 650V 正向电流If : 8A 正向电压Vf : 1.55V 反向漏电流Ir : 160uA 工作温度 : -55°C~175°C 产品特性 : 车规 |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 TO-220FM 30A 650V 650V 8A 1.55V 160uA -55°C~175°C
SiC肖特基二极管
TO-220FM 30A 650V 650V 8A 1.55V 160uA -55°C~175°C
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封装/外壳 : TO-220FM 正向浪涌电流Ifsm : 30A 反向峰值电压Vrrm : 650V 反向电压Vr : 650V 正向电流If : 8A 正向电压Vf : 1.55V 反向漏电流Ir : 160uA 工作温度 : -55°C~175°C |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 TO-263AB 23A 650V 650V 6A 1.55V 120uA -55°C~175°C 车规
SiC肖特基二极管
TO-263AB 23A 650V 650V 6A 1.55V 120uA -55°C~175°C 车规
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封装/外壳 : TO-263AB 正向浪涌电流Ifsm : 23A 反向峰值电压Vrrm : 650V 反向电压Vr : 650V 正向电流If : 6A 正向电压Vf : 1.55V 反向漏电流Ir : 120uA 工作温度 : -55°C~175°C 产品特性 : 车规 |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 TO-220ACP 67A 650V 650V 8A 1.5V 40uA -55°C~175°C
SiC肖特基二极管
TO-220ACP 67A 650V 650V 8A 1.5V 40uA -55°C~175°C
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封装/外壳 : TO-220ACP 正向浪涌电流Ifsm : 67A 反向峰值电压Vrrm : 650V 反向电压Vr : 650V 正向电流If : 8A 正向电压Vf : 1.5V 反向漏电流Ir : 40uA 工作温度 : -55°C~175°C |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 TO-220ACP 82A 650V 650V 10A 1.5V 50uA -55°C~175°C
SiC肖特基二极管
TO-220ACP 82A 650V 650V 10A 1.5V 50uA -55°C~175°C
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封装/外壳 : TO-220ACP 正向浪涌电流Ifsm : 82A 反向峰值电压Vrrm : 650V 反向电压Vr : 650V 正向电流If : 10A 正向电压Vf : 1.5V 反向漏电流Ir : 50uA 工作温度 : -55°C~175°C |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 TO-220ACP 47A 650V 650V 6A 1.5V 30uA -55°C~175°C
SiC肖特基二极管
TO-220ACP 47A 650V 650V 6A 1.5V 30uA -55°C~175°C
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封装/外壳 : TO-220ACP 正向浪涌电流Ifsm : 47A 反向峰值电压Vrrm : 650V 反向电压Vr : 650V 正向电流If : 6A 正向电压Vf : 1.5V 反向漏电流Ir : 30uA 工作温度 : -55°C~175°C |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 TO-263AB 52A 650V 650V 15A 1.55V 300uA -55°C~175°C 车规
SiC肖特基二极管
TO-263AB 52A 650V 650V 15A 1.55V 300uA -55°C~175°C 车规
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封装/外壳 : TO-263AB 正向浪涌电流Ifsm : 52A 反向峰值电压Vrrm : 650V 反向电压Vr : 650V 正向电流If : 15A 正向电压Vf : 1.55V 反向漏电流Ir : 300uA 工作温度 : -55°C~175°C 产品特性 : 车规 |
暂无价格
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SiC肖特基二极管
SiC肖特基二极管
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- |
暂无价格
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SiC肖特基二极管
SiC肖特基二极管
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- |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 TO-247 45A 1200V 1200V 10A 1.6V 100uA -55°C~175°C 车规
SiC肖特基二极管
TO-247 45A 1200V 1200V 10A 1.6V 100uA -55°C~175°C 车规
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封装/外壳 : TO-247 正向浪涌电流Ifsm : 45A 反向峰值电压Vrrm : 1200V 反向电压Vr : 1200V 正向电流If : 10A 正向电压Vf : 1.6V 反向漏电流Ir : 100uA 工作温度 : -55°C~175°C 产品特性 : 车规 |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 SCS210KE2 Series 1200 V 5/10 A Flange Mount SIC Schottky Barrier Diode -TO-247-3
SiC肖特基二极管
SCS210KE2 Series 1200 V 5/10 A Flange Mount SIC Schottky Barrier Diode -TO-247-3
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封装/外壳 : TO-247 正向浪涌电流Ifsm : 45A 反向峰值电压Vrrm : 1200V 反向电压Vr : 1200V 正向电流If : 10A 正向电压Vf : 1.6V 反向漏电流Ir : 100uA 工作温度 : -55°C~175°C |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 TO-220ACP 19A 650V 650V 2A 1.5V 10.8uA -55°C~175°C
SiC肖特基二极管
TO-220ACP 19A 650V 650V 2A 1.5V 10.8uA -55°C~175°C
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封装/外壳 : TO-220ACP 正向浪涌电流Ifsm : 19A 反向峰值电压Vrrm : 650V 反向电压Vr : 650V 正向电流If : 2A 正向电压Vf : 1.5V 反向漏电流Ir : 10.8uA 工作温度 : -55°C~175°C |
暂无价格
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SBD肖特基二极管 SiC Schottky barrier diode with high speed switching
SBD肖特基二极管
SiC Schottky barrier diode with high speed switching
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封装/外壳 : TO-247N |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 SCS205AG Series 650 V 6 A Flange Mount SIC Schottky Barrier Diode - TO-220AC
SiC肖特基二极管
SCS205AG Series 650 V 6 A Flange Mount SIC Schottky Barrier Diode - TO-220AC
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封装/外壳 : TO-220AC 正向浪涌电流Ifsm : 23A 反向峰值电压Vrrm : 650V 反向电压Vr : 650V 正向电流If : 6A 正向电压Vf : 1.55V 反向漏电流Ir : 120uA 工作温度 : -55°C~175°C |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 TO-220ACP 27A 650V 650V 4A 1.5V 20uA -55°C~175°C
SiC肖特基二极管
TO-220ACP 27A 650V 650V 4A 1.5V 20uA -55°C~175°C
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封装/外壳 : TO-220ACP 正向浪涌电流Ifsm : 27A 反向峰值电压Vrrm : 650V 反向电压Vr : 650V 正向电流If : 4A 正向电压Vf : 1.5V 反向漏电流Ir : 20uA 工作温度 : -55°C~175°C |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 650V, 15A, 3-pin THD, Silicon-carbide (SiC) SBD
SiC肖特基二极管
650V, 15A, 3-pin THD, Silicon-carbide (SiC) SBD
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封装/外壳 : TO-247N 正向浪涌电流Ifsm : 200A 反向峰值电压Vrrm : 650V 反向电压Vr : 650V 正向电流If : 30A 正向电压Vf : 1.55V 反向漏电流Ir : 300uA 工作温度 : -55°C~175°C |
暂无价格
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整流二极管 650V, 20A, 3-PIN THD, SILICON-CA
整流二极管
650V, 20A, 3-PIN THD, SILICON-CA
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封装/外壳 : TO-247N |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 TO-220FM 43A 650V 650V 12A 1.55V 240uA -55°C~175°C
SiC肖特基二极管
TO-220FM 43A 650V 650V 12A 1.55V 240uA -55°C~175°C
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封装/外壳 : TO-220FM 正向浪涌电流Ifsm : 43A 反向峰值电压Vrrm : 650V 反向电压Vr : 650V 正向电流If : 12A 正向电压Vf : 1.55V 反向漏电流Ir : 240uA 工作温度 : -55°C~175°C |
暂无价格
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整流二极管 650V, 30A, 3-PIN THD, SILICON-CA
整流二极管
650V, 30A, 3-PIN THD, SILICON-CA
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封装/外壳 : TO-247N |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 TO-220FM 68A 650V 650V 20A 1.55V 400uA -55°C~175°C
SiC肖特基二极管
TO-220FM 68A 650V 650V 20A 1.55V 400uA -55°C~175°C
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封装/外壳 : TO-220FM 正向浪涌电流Ifsm : 68A 反向峰值电压Vrrm : 650V 反向电压Vr : 650V 正向电流If : 20A 正向电压Vf : 1.55V 反向漏电流Ir : 400uA 工作温度 : -55°C~175°C |
暂无价格
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SiC肖特基二极管 TO-263AB 43A 650V 650V 12A 1.55V 240uA -55°C~175°C
SiC肖特基二极管
TO-263AB 43A 650V 650V 12A 1.55V 240uA -55°C~175°C
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生产周期: 2022 封装/外壳 : TO-263AB 正向浪涌电流Ifsm : 43A 反向峰值电压Vrrm : 650V 反向电压Vr : 650V 正向电流If : 12A 正向电压Vf : 1.55V 反向漏电流Ir : 240uA 工作温度 : -55°C~175°C |
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库存:1000 MPQ:1000 |
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SiC肖特基二极管 650V, 12A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD
SiC肖特基二极管
650V, 12A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD
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生产周期: 2022 封装/外壳 : TO-220ACG |
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库存:1000 MPQ:1000 |
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SiC肖特基二极管 1200V, 10A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive
SiC肖特基二极管
1200V, 10A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive
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生产周期: 2024 产品特性 : 车规 |
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库存:1000 MPQ:0 |
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SiC肖特基二极管 650V, 15A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD
SiC肖特基二极管
650V, 15A, THD, Silicon-carbide (SiC) SBD
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生产周期: 2024 封装/外壳 : TO-220ACG |
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库存:1000 MPQ:1000 |
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SiC肖特基二极管 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO220AC
SiC肖特基二极管
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO220AC
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生产周期: 2024 封装/外壳 : TO-220ACG |
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库存:1000 MPQ:1000 |
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SiC肖特基二极管 650V, 20A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive
SiC肖特基二极管
650V, 20A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive
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生产周期: 2024 产品特性 : 车规 |
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库存:1000 MPQ:0 |
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SiC肖特基二极管 DIODES SILICON CARBIDE
SiC肖特基二极管
DIODES SILICON CARBIDE
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生产周期: 2022 封装/外壳 : TO-263AB 正向浪涌电流Ifsm : 100A 反向峰值电压Vrrm : 650V 反向电压Vr : 650V 正向电流If : 4A 正向电压Vf : 1.5V 反向漏电流Ir : 20uA 工作温度 : -55°C~175°C |
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库存:1000 MPQ:1000 |
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SiC肖特基二极管 TO-220FM 27A 650V 650V 4A 1.5V 20uA -55°C~175°C
SiC肖特基二极管
TO-220FM 27A 650V 650V 4A 1.5V 20uA -55°C~175°C
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生产周期: 2022 封装/外壳 : TO-220FM 正向浪涌电流Ifsm : 27A 反向峰值电压Vrrm : 650V 反向电压Vr : 650V 正向电流If : 4A 正向电压Vf : 1.5V 反向漏电流Ir : 20uA 工作温度 : -55°C~175°C |
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库存:1000 MPQ:1000 |
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SiC肖特基二极管 DIODES SILICON CARBIDE
SiC肖特基二极管
DIODES SILICON CARBIDE
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生产周期: 2022 封装/外壳 : TO-263AB 正向浪涌电流Ifsm : 170A 反向峰值电压Vrrm : 650V 反向电压Vr : 650V 正向电流If : 6A 正向电压Vf : 1.5V 反向漏电流Ir : 30uA 工作温度 : -55°C~175°C |
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库存:1000 MPQ:1000 |
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SiC肖特基二极管 TO-220FM 96A 650V 650V 12A 1.5V 60uA -55°C~175°C
SiC肖特基二极管
TO-220FM 96A 650V 650V 12A 1.5V 60uA -55°C~175°C
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生产周期: 2022 封装/外壳 : TO-220FM 正向浪涌电流Ifsm : 96A 反向峰值电压Vrrm : 650V 反向电压Vr : 650V 正向电流If : 12A 正向电压Vf : 1.5V 反向漏电流Ir : 60uA 工作温度 : -55°C~175°C |
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库存:1000 MPQ:1000 |
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SiC肖特基二极管 TO-263AB 30A 650V 650V 8A 1.55V 160uA -55°C~175°C
SiC肖特基二极管
TO-263AB 30A 650V 650V 8A 1.55V 160uA -55°C~175°C
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生产周期: 2021 封装/外壳 : TO-263AB 正向浪涌电流Ifsm : 30A 反向峰值电压Vrrm : 650V 反向电压Vr : 650V 正向电流If : 8A 正向电压Vf : 1.55V 反向漏电流Ir : 160uA 工作温度 : -55°C~175°C |
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库存:1000 MPQ:1000 |
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SiC肖特基二极管 DIODES SILICON CARBIDE
SiC肖特基二极管
DIODES SILICON CARBIDE
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生产周期: 2022 封装/外壳 : TO-263AB 正向浪涌电流Ifsm : 170A 反向峰值电压Vrrm : 650V 反向电压Vr : 650V 正向电流If : 6A 正向电压Vf : 1.5V 反向漏电流Ir : 30uA 工作温度 : -55°C~175°C |
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库存:1000 MPQ:1000 |
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SiC肖特基二极管 DIODES SILICON CARBIDE
SiC肖特基二极管
DIODES SILICON CARBIDE
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生产周期: 2022 封装/外壳 : TO-263AB 正向浪涌电流Ifsm : 70A 反向峰值电压Vrrm : 650V 反向电压Vr : 650V 正向电流If : 2.15A 正向电压Vf : 1.5V 反向漏电流Ir : 10.8uA 工作温度 : -55°C~175°C |
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库存:1000 MPQ:1000 |