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    氮化镓(GaN)手机快充方案

    氮化镓(GaN)是一种高电子迁移率晶体管(HEMT),意味着GaN器件的临界电场强度大于硅。对于相同的片上电阻和击穿电压,GaN的尺寸更小。GaN还具有极快的开关速度和优异的反向恢复性能。

    一、氮化镓(GaN)器件介绍:

    GaN器件分为两种类型:

    耗尽型:耗尽型GaN晶体管常态下是导通的,为了使它截止必须在源漏之间加一个负电压。

    增强型:增强型GaN晶体管常态下是截止的,为了使它导通必须在源漏之间加一个正电压。

    GaN VS MOSFET:

    他们的关键参数都是导通电阻和击穿电压。GaN的导通电阻非常低,这使得静态功耗显著降低,提高了效率。GaN FET的结构使其输入电容非常低,提高了开关速度。意味着GaN具有更高的效率,并可以使用更少的电磁学和被动元件。

    二、手机快充介绍:

    能在极短的时间内(0.5-1Hr)使手机电池达到或接近完全充电状态的一种充电方法。

    实现手机快速充电方法:

    1.电压不变,提高电流;

    2.电流不变,提升电压;

    3.电压、电流均提高。

    手机快速充电技术目前分为“高压小电流快充”和“低压大电流快充”两种方案。VOOC闪充和Dash闪充属于后者“低压大电流快速充电”。快速充电对手机电池的寿命没有影响,现在的电池都可以承受大电流。

    三、氮化镓(GaN)快充:

    氮化镓(GaN)快充在已有的快充技术上通过改用氮化镓(GaN)核心器件,将手机快速充电器做到功率更大、体积更小、充电速度更快。

    氮化镓(GaN)快充方案包含两个部分,充电器部分电源管理部分

    充电器部分:充电管理芯片根据锂电池充电过程的各个阶段的电器特性,向充电器发出指令,通知充电器改变充电电压和电流,而充电器接收到来自充电管理系统的需求,实时调整充电器的输出参数,配合充电管理系统实现快速充电。

    电源管理部分:相应的芯片置于移动智能终端内,有独立的电源管理芯片,也有的直接集成在手机套片中,电源管理芯片对锂电池的整个充电过程实施管理和监控,包含了复杂的处理算法,锂电池充电包括几个阶段:预充阶段、恒流充电阶段,恒压充电阶段、涓流充电阶段。

    四、相关器件推荐(充电器部分)

    产品类别 参考用量 说明 可配品牌 参考参数、型号 相关产品
    电容 1 薄膜电容-X2 KEMET R46KN422045P0M;
    0.22uF 275VAC;
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    Panasonic ECQUAAF224K;
    0.22uF 275VAC;
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    2 电解电容-输入滤波 KEMET 400V 100UF 105℃;
    ELG107M400AR2AA;
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    Nichicon 400V 100UF 105℃;
    UPT2G101MHD;
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    2 电解电容-输出滤波 YMIN 470uF 25VDC;
    LKFD1201E471MF;
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    2 Tan 聚合物电容-输出滤波 KEMET 100μF 25VDC;
    T521D107M025ATE040;
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    AVX 100μF 25VDC;
    TAJV107K025RNJ;
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    4 MLCC-Y2电容输出抗干扰 KEMET 47uF 100uF 250VAC;
    CAS17C470KAGFC;
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    LDO 1 - Torex Semiconductor - 立即查看
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    保险丝 1 - Brightking 3.15A 250V 立即查看
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