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DMG3406L-13  与  IRLML6346TRPBF  区别

型号 DMG3406L-13 IRLML6346TRPBF
唯样编号 A-DMG3406L-13 A-IRLML6346TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 N-Channel 30 V 80 mOhm 2.9 nC 1.3 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 63mΩ@3.4A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 770mW(Ta) 1.3W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 50mΩ@3.6A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 495 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 11.2 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-23-3 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.6A(Ta) 3.4A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 24V
系列 - HEXFET®
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 270pF @ 24V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.9nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 270pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.9nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG3406L-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
IRLML6346TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.7326 

阶梯数 价格
70: ¥0.7326
200: ¥0.5967
1,500: ¥0.5421
3,000: ¥0.507
15,477 对比
DMG3406L-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 15,000 对比
DMG3406L-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.5753 

阶梯数 价格
90: ¥0.5753
200: ¥0.4394
1,500: ¥0.3822
3,000: ¥0.338
9,006 对比
IRLML6346TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥1.1499 

阶梯数 价格
140: ¥1.1499
500: ¥1.1499
1,000: ¥1.1212
4,000: ¥1.0939
5,500 对比
AO3418 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

暂无价格 2 对比

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