MBT3906DW1T1G 与 UMT1NTN 区别
| 型号 | MBT3906DW1T1G | UMT1NTN | ||||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A32-MBT3906DW1T1G-2 | A32-UMT1NTN-13 | ||||||||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||||||||||
| 描述 | UMT1N Series 50 V 150 mA Dual PNP General Purpose Isolated Transistor-SOT-363 | |||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | - | SOT-363 | ||||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 150mW | ||||||||||||||||||||
| VCBO | - | -60V | ||||||||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||||||||||
| 特征频率fT | - | 140MHz | ||||||||||||||||||||
| VEBO | - | -6V | ||||||||||||||||||||
| 集电极连续电流 | - | -150mA | ||||||||||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | - | -500mV | ||||||||||||||||||||
| 直流电流增益hFE | - | 120 | ||||||||||||||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | - | -50V | ||||||||||||||||||||
| 晶体管类型 | - | PNP | ||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||
| 库存 | 300,000 | 108,000 | ||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 7 - 14天 | ||||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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MBT3906DW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
￥0.18
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300,000 | 当前型号 | |||||||||||||
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BC857BS,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW -45V -100mA -400mV 200 100MHz PNP |
￥0.3926
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106,587 | 对比 | ||||||||||||
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UMT1NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW -50V -150mA -500mV 120 140MHz PNP |
暂无价格 | 60,070 | 对比 | ||||||||||||
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MMDT4403-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW -40V -600mA -750mV 100 200MHz 2PNP |
￥0.4508
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38,108 | 对比 | ||||||||||||
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UMT1NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW -50V -150mA -500mV 120 140MHz PNP |
￥0.4879
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29,579 | 对比 | ||||||||||||
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BC857BS,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW -45V -100mA -400mV 200 100MHz PNP |
暂无价格 | 15,000 | 对比 |
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