BC847BPDW1T1G 与 BC847BPN,135 区别
| 型号 | BC847BPDW1T1G | BC847BPN,135 | ||||
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| 唯样编号 | A36-BC847BPDW1T1G | A36-BC847BPN,135 | ||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Nexperia | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||
| 描述 | BC Series 45 V 100 mA NPN/PNP Silicon Dual General Purpose Transistor - SOT-363 | TRANS NPN/PNP 45V 0.1A 6TSSOP | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 0.38W | 300mW | ||||
| 特征频率fT | 100MHz,100MHz | 100MHz | ||||
| 集电极-射极饱和电压 | 600mV,-650mV | 300mV | ||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-363 | ||||
| VCBO | 50V,-50V | 50V | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -65°C~150°C | ||||
| VEBO | 6V,-6V | 5V | ||||
| 尺寸 | - | 2.1*1.25*0.95 | ||||
| 集电极连续电流 | 100mA,-100mA | 100mA | ||||
| 直流电流增益hFE | 200,200 | 200 | ||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | 45V,-45V | 45V | ||||
| 晶体管类型 | NPN+PNP | NPN+PNP | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 2,917 | 124 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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BC847BPDW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 0.38W 45V,-45V 100mA,-100mA 600mV,-650mV 200,200 100MHz,100MHz NPN+PNP |
￥0.2295
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2,917 | 当前型号 | ||||||||||||
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BC847BPN,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 45V 100mA 300mV 200 100MHz NPN+PNP |
暂无价格 | 3,219 | 对比 | ||||||||||||
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UMZ1NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 150mA,-150mA 400mV,-500mV 120,120 180MHz,140MHz NPN+PNP |
￥1.7249
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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UMZ1NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 150mA,-150mA 400mV,-500mV 120,120 180MHz,140MHz NPN+PNP |
￥1.7249
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363 | 对比 | ||||||||||||
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MMDT4413-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW 40V,-40V 600mA,-600mA -750mV,750mV 100,100 250MHz,200MHz NPN+PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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BC 847PN H6327 | Infineon | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 250mW 45V 100mA 650mV 200 250MHz NPN+PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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